Si3N4／Si表面Ge生长过程的STM研究

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【摘要】

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利用STM和LEED分析了Ge在Si3N4/Si(111)和Si3N4/Si(100)表面生长过程的结构演变。在生长早期，Ge在两种衬底表面上都形成高密度的三维纳米团簇，这些团簇的大小均在几个纳米范围

【作者】

：

汪雷唐景昌胡艳芳王学森

【机构】

：

浙江大学物理系和硅材料国家重点实验室,浙江大学物理系和硅材料国家重点实验室,香港科技大学物理系

【出处】

：

真空科学与技术

【发表日期】

：

2001年2期

【关键词】

：

氮化硅锗硅扫描隧道显微镜表面生长过程气相沉积薄膜 Crystals Germanium Nanostructured materials Silic

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利用STM和LEED分析了Ge在Si3N4/Si(111)和Si3N4/Si(100)表面生长过程的结构演变。在生长早期，Ge在两种衬底表面上都形成高密度的三维纳米团簇，这些团簇的大小均在几个纳米范围内，并在高温退火时体积增大。当生长继续时，Ge的晶体小面开始显现。在晶态的Si3N4(0001)/Si(111)表面，Ge的(111)晶向的小面生长比其他方向优先。最后在大范围内形成以(111)方向为主的晶面。相反，在非晶的Si3N4表面，即Si3N4/Si(100)，Ge晶体的高指数侧面生长较顶面快，最终形

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