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尝试采用真空分解V2O5熔体的方法制备高纯度的VO2,通过XRD和SEM等方法进行了分析.结果表明,该方法可以直接获得高纯度的VO2的沉积层,沉积层为连续单相多晶组织.当熔体以小于10℃/h的升温速率加热到1350℃,真空度控制为10^-6atm,所获得的沉积层的电阻突变量级达到最大为4~5,相变温度为68℃,相变温度滞后为1℃~2℃.