【摘 要】
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采用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了掺锡氧化铟（ITO）透明导电薄膜，通过XRD、XPS、四探针仪和分光光度计等测试方法，研究了沉积速率对ITO薄膜微观结构和光电性能的影响。实验
【机 构】
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中南民族大学电子信息工程学院,中南民族大学智能无线通信湖北省重点实验室,中南民族大学计算与实验中心
【基金项目】
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湖北省自然科学基金资助项目(2011CDB418);中南民族大学学术团队基金资助项目(XTZ09003)
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采用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了掺锡氧化铟（ITO）透明导电薄膜，通过XRD、XPS、四探针仪和分光光度计等测试方法，研究了沉积速率对ITO薄膜微观结构和光电性能的影响。实验结果表明：ITO样品为具有（222）择优取向的立方锰铁矿结构，其晶体结构和光电性能明显受到沉积速率的影响。当沉积速率为4nm／min时，所制备的ITO薄膜具有最大的晶粒尺寸（32．5nm）、最低的电阻率（1．1×10^-2Ω·cm）、最高的可见光区平均透过率（86．4％）和最大的优良指数（7．9×1
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