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对8×8元阵列锆钛酸铅(PZT)厚膜声纳换能器芯片进行了设计,对PZT铁电厚膜的微图形的刻蚀工艺及其反应机理进行了深入的研究.最后成功地刻蚀出8×8元声纳换能器图形,为进一步研制PZT厚膜声纳换能器打下了良好的基础.
PZT铁电厚膜声纳换能器阵列的研制
【摘 要】
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对8×8元阵列锆钛酸铅(PZT)厚膜声纳换能器芯片进行了设计,对PZT铁电厚膜的微图形的刻蚀工艺及其反应机理进行了深入的研究.最后成功地刻蚀出8×8元声纳换能器图形,
【机 构】
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武汉理工大学,华中科技大学,武汉理工大学
【出 处】
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压电与声光
【发表日期】
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2004年3期
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