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为了研究延伸波长In0.83Ga0.17As pin光电二极管的暗电流机制。采用两种不同工艺制备了台面型延伸波长In0.83Ga0.17As pin光电二极管。第一种工艺(M135L-5)是：台面刻蚀后进行快速热退火(RTA)。第二种工艺(M135L-3)是：台面刻蚀前进行快速热退火(RTA)。采用IV测试，周长面积比(P/A)，激活能和暗电流成分拟合方法对器件暗电流机制进行分析。结果显示，在220~300 K之间,M135L-3器件暗电流低于M135L-5器件的，并且具有较低表面漏电流。在-0.01~-0.5 V之间和220~270 K之间，M135L-5器件的暗电流主要是扩散电流。在250~300 K之间，M135L-3器件的暗电流主要是扩散电流，而在-0.01~-0.5 V之间和220~240 K之间，其暗电流主要是产生复合电流和表面复合电流。与此同时，暗电流成分拟合结果也得出一致的结论。研究表明，在降低器件暗电流方面，M135L-3器件优于M135L-5器件,这主要是因为快速热退火降低了器件的体电流。