高输出功率太赫兹量子级联激光器与温度特性

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：baby3911

【摘要】

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半导体太赫兹量子级联激光器(THz QCL)是一种相干性好线宽窄的太赫兹辐射源,有潜力获得高的输出功率.采用基于非平衡格林函数(NEGF)方法的计算工具设计、生长、制备了基于砷

【作者】

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林宗澤王科王利平山秀树

【机构】

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日本国立研究開発法人理化学研究所光量子工程研究领域太赫兹量子器件研究室,仙台980-0845,日本

【出处】

：

红外与毫米波学报

【发表日期】

：

2018年5期

【关键词】

：

太赫兹量子级联激光器砷化镓

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半导体太赫兹量子级联激光器(THz QCL)是一种相干性好线宽窄的太赫兹辐射源,有潜力获得高的输出功率.采用基于非平衡格林函数(NEGF)方法的计算工具设计、生长、制备了基于砷化镓系材料的THz QCL.在10 K温度下,峰值功率达到270 mW,平均功率为2.4 mW,单位面积的输出功率与已报道的最高值相当.采用NEGF方法对器件的温度变化特性做了详细的分析.

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