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研究了环氧丙烷在SiO2表面的直接接枝聚合改性反应，以及在硅烷偶联剂KH792改性后的SiO2表面进行的间接接枝聚合改性反应，并用红外光谱对改性后的产品进行分析。实验结果表明，在110℃和一定压力下，SiO2表面的羟基具有较高的活性，环氧丙烷就可以在SiO2表面直接接枝聚合反应，从而摆脱了对品种稀少的硅烷偶联剂的依赖。最后阐述了聚合反应机理。