论文部分内容阅读
采用射频磁控溅射法制备出了适用于HVPE-GaN厚膜生长的ZnO缓冲层,利用X射线衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）和光致发光（PL）等分析方法表征了ZnO缓冲层以及HVPE-GaN厚膜的晶体性能。实验结果表明,采用溅射功率为60W、氩气压强为2.0Pa、蓝宝石衬底为室温条件下的溅射工艺获得了（0002）单一取向、晶界清晰、晶粒尺寸均一的ZnO薄膜,以它为缓冲层获得的GaN厚膜XRD的（0002）衍射峰半高宽（FWHM）为265secarc,室温PL谱未见明显黄光发射带。