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硅片直接键合杂质分布的模型与模拟

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：tadpoleFLY

【摘 要】

：

根据键合过程和半导体中杂质扩散的规律建立了硅片直接键合工艺的数学模型，得到了键合后硅片中杂质的浓度分布．并利用MATLAB软件，编写了键合工艺模拟程序，计算结果与实验进行了比

【作 者】

：

张佩君 黄庆安 

【机 构】

：

东南大学MEMS教育部重点实验室

【出 处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2003年8期

【关键词】

：

硅片直接键合 本征氧化层 扩散 微机电系统 功率器件 silicon direct bonding native oxide diffusion MEMS po 

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根据键合过程和半导体中杂质扩散的规律建立了硅片直接键合工艺的数学模型，得到了键合后硅片中杂质的浓度分布．并利用MATLAB软件，编写了键合工艺模拟程序，计算结果与实验进行了比较．该模型可以为相关器件的研究提供参考．

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