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随着相控阵雷达技术的发展,射频前端作为T/R组件的核心器件,向高性能、高可靠、多功能、小型化及低成本趋势不断发展。本文使用GaN功率器件和微组装技术,结合几种关键器件小型化设计的方法,设计了S波段小型化射频前端。在6~8 dBm输入的条件下,发射通道输出功率达到200 W,效率达到50%以上;接收通道可实现30 dB的增益和1.5 dB噪声系数的设计指标。该技术已广泛用在射频相关产品中。