GaN功率管相关论文
现代发射系统对功率放大器的工作频带和功率等级提出了越来越高的要求,而基于新型GaN功率器件的功放设计可以满足这些新的需求.采......
本文介绍一种S波段300W功率放大器模块设计,功放模块由功放单元与分配合成单元组成。展开讨论了功放单元的功率管选择、匹配电路设......
设计了一种基于GaN HEMT的功率放大模块。该模块采用高增益的GaAs单片、GaN小功率管和GaN大功率管三级级联形式。测试结果表明,模......
基于高击穿的GaN HEMT工艺,报道了一款高功率高效率的GaN功率管及其匹配电路的设计与实现.对功率管进行预匹配,并采用同轴巴伦线和......
随着相控阵雷达技术的发展,射频前端作为T/R组件的核心器件,向高性能、高可靠、多功能、小型化及低成本趋势不断发展。本文使用GaN......
介绍了1-3GHz频段宽带功率放大器的设计，讨论了GaN功率管的优势以及宽带匹配电路的仿真与设计。基于负载牵引测试数据，使用ADS软件进......
GaN功率管具有高击穿电压和高开关频率,但其自身也存在一些缺陷,一是没有一个额定的雪崩电压值,二是损耗高以及高开关频率下EMI特......
目前,高效率、高功率密度的变换器是电源行业一直以来追求的目标,随着半导体材料及技术的飞速发展,极大地促进了这一目标的实现。L......
氮化镓(Gallium(iii)Nitride,GaN)作为新一代半导体材料的代表,其高功率密度、高击穿场强的特点使其具备了带宽宽、效率高等优点。......
GaNHEMT的出现，使得有关电子设备性能的大幅度提升成为了可能。为了尽快实现该器件的工程化应用，需要对器件的可靠性进行相关研究。......
