【摘 要】
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本文报告的 UHF应用的低噪声 GaAs双栅金属肖特基势垒接触场效应晶体管,用 GaAs高阻衬底-n汽相外延材料,金属铝栅 1.5 ×300μm.器件封装用简化的环氧树脂粘结的陶瓷管壳.器
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,上海科技大学分部
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本文报告的 UHF应用的低噪声 GaAs双栅金属肖特基势垒接触场效应晶体管,用 GaAs高阻衬底-n汽相外延材料,金属铝栅 1.5 ×300μm.器件封装用简化的环氧树脂粘结的陶瓷管壳.器件的工作参数为V(DS)～4V,V_(g_1s)～-2V,V_(g_2s)～0V,此时I_(DS)～6mA 1GHz 下NFmin 1.2dB(最佳0.8dB),G_a10dB,G_R45dB.场效应晶体管在UHF电视机和步话机上初步应用,性能良好.
This article reports the low noise GaAs double gate metal Schottky barrier field effect transistor used in UHF applications using a GaAs high resistance substrate-n vapor phase epitaxial material with an aluminum grid of 1.5 × 300μm. The device package is fabricated using a simplified epoxy resin (DS) ~ 4V, V_ (g_1s) ~ 2V, V_ (g_2s) ~ 0V, at this time I_ (DS) ~ 6mA NFmin 1.2dB at 1GHz 0.8dB), G_a10dB, G_R45dB. The field effect transistor is initially applied to UHF televisions and walkie-talkies with good performance.
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