Annealing Behavior of New Micro-defects in p-type Large-diameter CZ-Si Crystal

来源 :稀有金属 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fengsuiyu

【摘要】

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New types of defects in 15.24 cm diameter and 20.32 cm diameter Czochralski silicon crystals were found after SCI cleaning. Their annealing behavior was studied

【作者】

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Ren Bingyan Liu Caichi Hao Qiu

【机构】

：

Semiconductor Materials Institute

【出处】

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稀有金属

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

CZ-Si Cleaning Defect Particel

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New types of defects in 15.24 cm diameter and 20.32 cm diameter Czochralski silicon crystals were found after SCI cleaning. Their annealing behavior was studied. It was suggested that these defects become larger during high temperature annealing and disappear by annealing at 1250℃.

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