【摘 要】
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离子辐照半导体可以很好的改善半导体材料的磁学性质.用He+辐照Ga0.94Mn0.06As薄膜,可以较方便的调制Ga0.94Mn0.06As薄膜中产生铁磁性载体的浓度.由于空穴居间而导致Ga0.94Mn
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离子辐照半导体可以很好的改善半导体材料的磁学性质.用He+辐照Ga0.94Mn0.06As薄膜,可以较方便的调制Ga0.94Mn0.06As薄膜中产生铁磁性载体的浓度.由于空穴居间而导致Ga0.94Mn0.06As薄膜的铁磁性,可以通过He+的辐照来得到改善,其结果是Ga0.94Mn0.06As薄膜的矫顽力可以增加3倍多.当He+辐照流强增加时,居里温度和沿着样品面外磁化难轴方向的饱和磁场都减小了.被辐照的Ga0.94Mn0.06As薄膜的电学性质和结构特征显示,He+辐照Ga0.94Mn0.06As薄膜可以有控制地改善它的铁磁性,其结果源于He+辐照Ga0.94Mn0.06As薄膜所诱导产生电缺陷对空穴的补偿,而不是He+辐照改变了Ga0.94Mn0.06As薄膜的结构.
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