LP-MOCVD生长InGaAs/GaAs量子阱

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用低压MOCVD(LP-MOCVD)生长三种不同的InGaAs/GaAs应变层量子阱材料,其中两种含AlGaAs限制层。结果表明,AlGaAs限制层对量子阱的发光强度影响很大,与没有AlGaAs限制层的结果相比,带AlGaAs限制层的结构的发光强度要强一个数量级以上。在低温(18K)PL光谱图中,我们看到,除了存在主峰以外,在主峰两侧还各有一个子峰,这些子峰可能与量子阱的质量有关。 Three different InGaAs / GaAs strained quantum well materials were grown by low pressure MOCVD (LP-MOCVD), two of which contain AlGaAs confinement layers. The results show that the AlGaAs confinement layer has a great effect on the quantum well luminescence intensity. Compared with the result without the AlGaAs confinement layer, the structure with AlGaAs confinement layer has stronger luminescence intensity by more than one order of magnitude. In low temperature (18K) PL spectra, we see that in addition to the main peak, there is a sub-peak on each side of the main peak, which may be related to the mass of the quantum well.
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