【摘 要】
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通过实验和模拟计算对比分析了i/p界面过渡层对太阳电池性能的影响.结合具体实验工艺参数,模拟计算了不同带隙和缺陷态密度的过渡层对太阳电池的影响,同时结合实验情况重现了
【机 构】
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南开大学信息技术科学学院电子科学与技术系; 天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室;
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划(863)项目(批准号:2006AA05Z422);天津市科技攻关计划(批准号:06YFGPGX0800);天津市应用基础及前沿技术研究计划(批准号:08JCYBJC13100)资助的课题~~
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通过实验和模拟计算对比分析了i/p界面过渡层对太阳电池性能的影响.结合具体实验工艺参数,模拟计算了不同带隙和缺陷态密度的过渡层对太阳电池的影响,同时结合实验情况重现了宽带隙高缺陷态密度过渡层对太阳电池的损伤,为实验结果提供了理论依据.通过优化调整i/p界面过渡层的制备方法得到了转换效率为7.09%的聚酰亚胺衬底非晶硅薄膜太阳电池.
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