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台面制作工艺对1.3μm应变补偿多量子阱SLD的器件性能有重要的影响。根据外延结构，分析比较了两种台面制作的方法，即选择性湿法腐蚀法和ICP刻蚀＋湿法腐蚀法。InGaAs层ICP刻蚀避免了湿法腐蚀中的侧向钻蚀现象，Cl2含量为30%时速率可达到420nm/min；湿法腐蚀可有效减小ICP刻蚀引入的晶格损伤。SEM图像表明，ICP刻蚀＋湿法腐蚀的台面制作方法，得到的腐蚀台面陡直，波导宽度与设计值更接近，优于选择性湿法腐蚀方法，更适合SLD台面制作。