【摘 要】
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IGBT模块随着功率的不断增大,对DBC基板的导热性能提出了更高的要求,常规的氧化铝DBC已经不能满足导热要求,氧化铍由于加工过程有毒限制其推广应用,氮化铝DBC基板成为环保、
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十三研究所,安徽合肥
【出 处】
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第十七届电子陶瓷制造、陶瓷—金属封接技术交流会暨真空电子与专用金属材料分会年会
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IGBT模块随着功率的不断增大,对DBC基板的导热性能提出了更高的要求,常规的氧化铝DBC已经不能满足导热要求,氧化铍由于加工过程有毒限制其推广应用,氮化铝DBC基板成为环保、高效、满足散热的新一代DBC基板.而铜氧化物对氮化铝难以润湿成为氮化铝DBC制备过程的首要难题,铜片与氮化铝键合界面的孔洞严重影响DBC基板的可靠性,本论文主要阐述高可靠氮化铝DBC基板的制造方案,采用化学方法对氮化铝基板表面进行处理,再采用高温氧化技术处理氮化铝陶瓷,形成致密、均匀的氧化层;高质量的氧化层对铜的氧化物提供良好的润湿性能,是制备高可靠氮化铝DBC基板的前提,优化保温温度、时间、氧浓度等条件控制氧化层的厚度,最终得到剥离强度高、孔洞率低的氮化铝DBC基板.
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