In1—xAlxSb外延层的E1和E1+△1的光调制反射光谱研究

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首次用光调制反射光谱的实验测量方法,在~10K下对In_(1-x)Al_xSb(0≤x≤0.55)外延层的光跃迁E_1和E_1+△_1及其谱线展宽ω,进行实验测定。由测定结果,得到对E_1和E_1+△_1的弯曲参数分别为0.752eV和0.723eV。
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