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利用脉冲激光沉积技术在Hg，In2Te6晶体表面制备ZnO过渡层，并对ZnO过渡层进行了表征。结合X射线光电子能谱深度剖析对ZnO／Hg，In2Te6界面元素的化合态进行研究，并通过半导体参数分析仪对Au／ZnO／Hg3In2Te6肖特基接触电学特性进行测试。研究结果表明，采用本实验条件可在Hg3In2Te6晶体表面获得结晶度高、表面粗糙度低，且沿（002）晶面择优生长的ZnO过渡层。同时，ZnO过渡层的引入使Au／Hg，In2Te6肖特基接触的漏电流降低一个数量级，势垒高度提高6．5％。这种现象可能是由