【摘 要】
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在室温下,利用直流反应磁控溅射技术在不同的氧气流量下沉积ZnO∶Al（AZO）薄膜。采用XRD、SEM和TEM技术分析薄膜相成分、表面截面形貌及微观结构。结果表明：氧气流量为2.5 sccm时
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在室温下,利用直流反应磁控溅射技术在不同的氧气流量下沉积ZnO∶Al（AZO）薄膜。采用XRD、SEM和TEM技术分析薄膜相成分、表面截面形貌及微观结构。结果表明：氧气流量为2.5 sccm时,沉积形成的薄膜为不透明具有金属导电性能的AZO/Zn（AZO）双层复合膜结构;氧气流量为3.5 sccm时,沉积形成了透明导电的AZO薄膜;氧气流量为5.0 sccm时,形成了透明不导电且含有纳米Al2O3颗粒的AZO薄膜;此外,AZO薄膜在400℃退火后,薄膜晶粒长大和（002）晶面方向择优生长更加明显以及高氧气
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