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采用RF-PECVD沉积技术制备P型非晶硅薄膜材料，研究硼烷浓度和加热温度对薄膜性能的影响。通过对两者优化，制备出了宽光学带隙、高电导率和致密性较好的P型非晶硅材料。作为窗口层应用到HIT太阳电池中，对其厚度进行优化，在N型单晶硅衬底上制备出了效率为14．28％的HIT太阳电池。
P型非晶硅薄膜制备及其在HIT太阳电池中应用
【摘 要】
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采用RF-PECVD沉积技术制备P型非晶硅薄膜材料，研究硼烷浓度和加热温度对薄膜性能的影响。通过对两者优化，制备出了宽光学带隙、高电导率和致密性较好的P型非晶硅材料。作为窗口
【机 构】
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河北工业大学信息工程学院,河北汉盛光电科技有限公司
【出 处】
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人工晶体学报
【发表日期】
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2014年2期
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