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提出了一种分析和了解微波功率GaAsMESFET非线性效应的方法，主要是采用解析优化方法，提取MESFET器件在不同偏置点下的本征元件，并结合器件的应用类型，对本征元件与偏置的关系进行了系统化的分析，分析的结论有助于提高微波功率GaAsMESFET器件设计和应用的准确性。
微波功率GaAsMESFET本征元件与偏置关系分析
【摘 要】
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提出了一种分析和了解微波功率GaAsMESFET非线性效应的方法，主要是采用解析优化方法，提取MESFET器件在不同偏置点下的本征元件，并结合器件的应用类型，对本征元件与偏置的关系进行
【机 构】
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西安微电子技术研究所710054,长安大学
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2002年1期
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