【摘 要】
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用射频溅射法成功制备了金属/半导体型颗粒膜Fex(In2O3)1-x.实验结果表明样品的微结构、磁性和巨磁电阻效应受制备条件(如本底真空度、衬底温度、溅射电压等)以及热退火处理
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用射频溅射法成功制备了金属/半导体型颗粒膜Fex(In2O3)1-x.实验结果表明样品的微结构、磁性和巨磁电阻效应受制备条件(如本底真空度、衬底温度、溅射电压等)以及热退火处理的强烈影响.较高的衬底温度有利于基体In2O3的晶化和Fe颗粒的成长.适当的热退火能促使Fe颗粒生长,使晶格畸变减小,从而改善膜的微结构.室温下,磁性测量表明样品具有超顺磁性,符合朗之万方程.高温退火后,颗粒的大小已超过单畴粒子的临界尺寸,引起矫顽力下降.
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