【摘 要】
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报道了ｎ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ漏源电流Ｉｄｓ和栅源电压Ｖｇｓ间的关系，发现在负栅压状态下，沟道特性分四个区域：过调制区、线性调制区、过渡区和夹断区，并且零栅压饱和漏源电流大的器件线性调制区的范围较大，过渡
【机 构】
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合肥工业大学,中国科学院上海冶金研究所
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报道了ｎ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ漏源电流Ｉｄｓ和栅源电压Ｖｇｓ间的关系，发现在负栅压状态下，沟道特性分四个区域：过调制区、线性调制区、过渡区和夹断区，并且零栅压饱和漏源电流大的器件线性调制区的范围较大，过渡区的范围较小。
Reported the n-type GaAsMESFET drain-source current Ids and the gate-source voltage Vgs relationship found in the negative gate voltage state, the channel characteristics of four areas: over-modulation area, linear modulation area, transition area and pinch-off area, and Zero gate voltage saturation drain current source large linear modulation device range, the smaller the transition area.
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