在电子纸行业中,为了减少光刻次数、降低成本,部分产品的TFT基板会采用半色调掩膜工艺,传统的一次湿刻一次干刻(1W1D)方法要求半色......

报道了ｎ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ漏源电流Ｉｄｓ和栅源电压Ｖｇｓ间的关系，发现在负栅压状态下，沟道特性分四个区域：过调制区、线性调制区、过渡区和夹断区，并且零栅压饱和......

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在电子纸行业中,为了减少光刻次数、降低成本,部分产品的TFT基板会采用半色调掩膜工艺,传统的一次湿刻一次干刻(1W1D)方法要求半色......