【摘 要】
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对快速模拟退火算法的关键参数进行确定，将该算法应用于微波半导体大信号建模，解决了多变量非线性优化难题，实验结果表明该方法是有效的。从而为解决ＭＥＳＦＥＴ（ＭｅｔａｌＳｅｍ ｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ ＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）大信号建模问题提供
【机 构】
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山东矿业学院电气工程系!济南250031,山东矿业学院电气工程系!济南250031,山东矿业学院基础课部!济南250031
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对快速模拟退火算法的关键参数进行确定，将该算法应用于微波半导体大信号建模，解决了多变量非线性优化难题，实验结果表明该方法是有效的。从而为解决ＭＥＳＦＥＴ（ＭｅｔａｌＳｅｍ ｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ ＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）大信号建模问题提供了一种新思路。
The key parameters of the fast simulated annealing algorithm are determined. The algorithm is applied to the large signal modeling of microwave semiconductors and the multivariable nonlinear optimization problem is solved. The experimental results show that this method is effective. Thus, a new idea is provided to solve the large signal modeling problem of MESFET (MetalSemiconductor Field Effect Transistor).
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