微波半导体器件相关论文
该文从微波半导体器件的建模出发,建立了一套具有大范围收敛性的、数值稳定、适用范围广的建模方法.在此基础上,详细介绍了用谐波......
光半导体器件和微波半导体器件是构成现代信息基础设施的重要因素.它们不仅可以用在家庭网络,而且可以支持地上通信、卫星传输以及......
对快速模拟退火算法的关键参数进行确定，将该算法应用于微波半导体大信号建模，解决了多变量非线性优化难题，实验结果表明该方法是有效......
通过Ｘ射线动力学理论计算的晶体摆动曲线与测试实验曲线的比较给出外延薄膜材料的结构，为器件研制了工作提供了有用的数据，证明运用Ｘ射......
提出了微波频率下ＰＨＥＭＴ在作开关运用时一种简化的等效电路模型，其模型参数可从对实际ＰＨＥＭＴ芯片的在片微波测试方便地确定，对于电路中元件采用不......
分析了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ在自升温效应下的升温幅度，结合器件电学参数随温度变化的特点，对器件的大信号等效电路模型进行了自升温效应下的修正。......
本文主要介绍微波半导体器件的低噪声接收器件、微波发射器件、微波控制器件和新型微波器件等研究与应用状况,并对这些器件的发展......
微波高功率无源收发转换系统,集微波半导体器件应用技术、电路综合设计技术于一体,在本机发射脉冲期间对进入收发转换系统的功率实......
分析了ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ由于沟道电流功耗而引起的器件自升温效应。以基本的Ｐｏｉｓｓｏｎ方程、电流方程及热流方程为基础，采用二维数值分析法，确定了器件内部自......
采用混合集成电路的方法，用ＰＩＮ管芯制作了８￣１８ＧＨｚ双刀双掷开关。开关采用管芯全并联结构。反射式ＤＰＤＴ开关插损≤２．０ｄＢ，隔离度〉５９ｄＢ，开态驻波比≤１．６５，承受功率为连......
本文简要介绍了近年来微波半导体器件及集成电路的发展概况。重点阐述异质结材料生长、器件设计和工艺研究、以及微波集成电路方面......
本文对微波小功率ＧａＡｓ场效应晶体管的静电失效机理进行了分析。文中对两种静电失效模式（电压型强电场失效和功率型大电流失效）分别进行了......
概述了Ｐ波段功率管在射频脉冲条件下进行加速寿命试验的方法，对Ｐ波段功率管可靠性进行了初步预测，并分析了器件失效的原因。......
对快速模拟退火算法的关键参数进行确定，将该算法应用于微波半导体大信号建模，解决了多变量非线性优化难题，实验结果该方法是有效的，从......
将带有ＴｉＮ，Ｗ和Ｍｏ阻挡层的Ａｕ金属化系统用在高频大功率三极管上，对其ＥＢ结进行了高温大电流应力和高温存储试验，结果表明采用ＴｉＮ作阻挡层的管子的寿命......
<正> 一、微波管发展简况微波管自出现至今已有几十年的历史,在这期间获得很大的发展(见表1)。最初,微波管主要用于雷达设备和现形......
微波半导体器件是衡量国家军事化水平的重要标准之一。与以欧美、日本为代表的发达国家相比，国内在微波器件方面研制工作相对落后，电......
<正>战争对军用微波雷达的需求,催生了微波元件。随着微波技术不断的进步,微波元件及相关介质材料的市场规模正急剧上升。微波元件......
叙述了半导体三极管中小功率微波振荡器现状，主要包括三个方面，一是半导体硅三极管微波源；二是场效应管微波源；三是关于微波新器件，新技......
