【摘 要】
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着重研究了工作温度范围为20-77K的低温热敏电阻器的生产工艺参数。利用先进的半导体陶瓷工艺，合成了新的低温NTC热敏陶瓷材料SrCoO3-δ，并用不同量的Ni取代Co对其掺杂改性，得到
【机 构】
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中国科学院新疆理化技术研究所,中国科学院研究生院
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着重研究了工作温度范围为20-77K的低温热敏电阻器的生产工艺参数。利用先进的半导体陶瓷工艺，合成了新的低温NTC热敏陶瓷材料SrCoO3-δ，并用不同量的Ni取代Co对其掺杂改性，得到了不同阻值、不同B值的陶瓷材料，同时研究了烧结温度和恒温时间对Co-Ni-Sr-O系NTC热敏材料参数的影响。在材料粉体合成中，采用固相烧结、共沉淀法、溶胶凝胶法、Pechini法等不同方法制备，讨论了不同方法的基本原理与特点，并对一些具体制备方法进行了比较。
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