【摘 要】
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报道了最大输出功率为1.3W,波长为910-930nm的单频、可调谐锥形半导体激光放大系统,研究了锥形半导体放大系统输出功率随注入电流和种子光功率的变化。功率为13.6mW、波长为9
【机 构】
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中国工程物理研究院应用电子学研究所,中国工程物理研究院研究生部
【基金项目】
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中国工程物理研究院院长基金(201501023).
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报道了最大输出功率为1.3W,波长为910-930nm的单频、可调谐锥形半导体激光放大系统,研究了锥形半导体放大系统输出功率随注入电流和种子光功率的变化。功率为13.6mW、波长为920nm的单频种子光经隔离器和聚焦透镜后,功率减小为12.4mW;入射到注入电流为4A的锥形放大器中时,输出激光的功率可达1300mW,增益达到20.21dB,线宽为660fm。当种子光功率从0增大到13.6mW时,放大功率随之增大。该系统获得的激光可以用于四倍频后窄线宽连续可调谐中(深)紫外激光的研究。
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