【摘 要】
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据《世界电子元器件》2009年8月月刊报道,Diodes公司推出ZXMC10A816器件,它采用SO8封装,包含一对互补100V增强式MOSFET,性能可媲美体积更大的独立封装器件。ZXMC10A816适用于
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据《世界电子元器件》2009年8月月刊报道,Diodes公司推出ZXMC10A816器件,它采用SO8封装,包含一对互补100V增强式MOSFET,性能可媲美体积更大的独立封装器件。ZXMC10A816适用于H桥电路,应用范围包括直流风扇和逆变器电路、D类放大器输出级以及其他多种48V应用。N通道和P通道组合
Diodes Corporation introduced the ZXMC10A816 device, which is available in a SO8 package and includes a pair of complementary 100V enhancement MOSFETs, comparable in performance to larger, discrete packages, according to a monthly report in the August 2009 issue of World Electronic Components. The ZXMC10A816 is suitable for H-bridge circuits and applications include DC fan and inverter circuits, Class D amplifier output stages and many other 48V applications. N-channel and P-channel combination
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