导通损耗相关论文
随着中国老龄化人口的增加,老年人的出行安全问题成为人们关注的热点。电动助力车作为老年人的出行工具,其安全性更加值得关注。无......
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随着变频冰箱的普及,各冰箱制造商始终围绕如何实现更大的冰箱容量展开工作,尽量减小变频压缩机安装部位的空间,即变频压缩机和变......
不连续PWM调制与传统空间矢量调制相比能够降低开关次数与损耗,提高变换效率.然而,死区效应、管压降会引起感应电机的相电压非线性......
本文对常用的单片隔离型开关电源的优缺点进行了分析,主要介绍并分析了一种高效单片隔离型开关电源—Coolset的特点及设计中注意的......
开关功率损耗降低40.5%!三栅极IGBT可提高所有电气设备中电源转换器的效率,为实现碳中和做出贡献。♦IGBT中的功率损耗存在一种此......
电气铁路需要大量电力,实际上许多铁路部门都运营着自有的高压电网,甚至还自备发电厂,然而,很少有铁路部门完全自己掌握电网,因为......
本文给出了一种改进的零电流开关准谐振变换器（ＺＣＳ—ＱＲＣ）．该电路引入非线性元件──饱和电感，使得导通损耗与开关应力得到明显改善，文中分析了......
可控硅(SCR)亦称闸流晶体管。与双向可控硅相比,SCR具有较高的额定电流和额定电压,较低的导通损耗和更高的可靠性,因此很适于大功......
采用反相方法测试台架在实际工作条件下,对ABB公司提供的实验性3.3kV IGCT进行了特性测定。这种器件在硬开关运行下的导通损耗非常......
采用反相方法测试台架在实际工作条件下,对ABB公司提供的实验性3.3kV IGCT进行了特性测定。这种器件在硬开关运行下的导通损耗非常......
意法半导体公司(STMicroelectronics)开发混合发射极开关双极晶体管(ESBT),这个被称作STE50DE100的新器件可用于焊接设备、感应加......
仙童公司(Fairchild)面向开关电源市场推出了一款新型最优化高速平面型MOSFET,与通常的500V电压等级的MOSFET相比,它可以降低全方......
飞兆半导体公司宣布推出1200V/15A NPT-Trench IGBT,能够在电磁感应加热(IH)电器中耐受高达300mJ的雪崩能量。这种出色的雪崩性能......
飞兆半导体公司推出1200V NPT沟道IGBT FGA25N120ANTD,结合了良好的抗雪崩能力和经优化的开关和导通损耗性能权衡,能为电磁加热(IH......
飞兆半导体公司日前推出全新1200V Field Stop Trench IGBT系列器件FGA20N120FTD和FGA15N120FTD,为电磁感应加热应用的系统设计人......
大功率应用需要具有低功耗、高可靠性的高压IGBT(HVIGBT)模块。然而这些特性通常是相互制约的,为达到均衡的性能,三菱电机开发出一......
据《电子世界》2009年9月月刊报道,Vishay Intertechnology,Inc宣布推出具有业内最低导通电阻的新款N沟道MOSFET器件SiR494DP,将该......
飞兆半导体——高性能功率和移动半导体解决方案供应商,已荣膺《今日电子(EPC)》主办的第11届年度十佳DC-DC功率产品奖。这是自飞......
2014年2月13日—许多终端应用,比如IP电话、电机控制电路、有源钳位开关和负载开关—需要以更小的尺寸提供更高的能效,以便满足制......
2014年7月8日,意法半导体最新的1200V绝缘栅双极晶体管(IGBT,In-sulated-GateBipolarTransistors)借助第二代沟栅式场截止型高速技......
2014年8月国际整流器公司(IR)推出高性能600 V超高速沟道场截止绝缘栅双极晶体管(IGBT)IR66xx系列产品。坚固可靠的新系列器件可提......
安森美半导体(ON Semiconductor)针对数据网络、电信和工业应用推出新的高能效单N沟道功率MOSFET系列,进一步扩大其宽广的产品阵容......
国际整流器针对锂离子电池保护应用推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件,包括IRL6297SD双N通道DirectFETMOSFET。全新功率......
用于功率转换的半导体功率元器件,由于对所有设备的节能化贡献巨大,其未来的技术发展动向受到业界广泛关注。ROHM针对这种节能化要......
本文主要阐述了MOSFET在模块电源中的应用,分析了MOSFET损耗特点,提出了优化方法;并且阐述了优化方法与EMI之间的关系。
This pap......
基于“U”形增强型双扩散金属氧化物半导体(DMOS+)平面元胞、增强型受控缓冲层(CPT+)技术及结终端扩展(JTE)终端结构,通过引入载流......
过去几年来,碳化硅(SiC)型功率半导体解决方案的使用情形大幅成长,成为各界仰赖的革命性发展。推动此项市场发展的力量包括下列趋......
为了实时评估机车运行时IGBT的结温水平并为IGBT健康状态和寿命预测提供依据,提出了一种利用现场实测变流器输出电流和相电压数据......
随着IT产业突飞猛进的发展,全世界的IT设备的能耗在整个社会能耗中的比重也在逐年增加,在国外甚至出现了在水电站附近建设机房,随......
提出了一种新型的移相控制零电压零电流开关ＰＷＭ弧焊逆变电路，对其工作原理进行了详细的分析并给出了仿真结果
A new kind of zero-v......
阐述了新型功率半导体器件———集成门极换向型晶闸管ＩＧＣＴ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｃｏｍ ｍｕｔａｔｅｄ Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ） 的基本工作原理和关键设计技术。ＩＧＣＴ在ＧＴＯ 技术的基础上，采用硬驱动技术，集成其......
引言具有MOS电路易于驱动、低导通损耗等特点的IGBT管目前主要应用于高电压、强电流电力电子领域。新型PTIGBT管将开关损耗与导通......
针对高压降压DC-DC(直流转直流转换器)输入电压范围宽的特点,设计了驱动电路通过钳位电路设定高压的驱动电压,同时通过源极跟随提......
期刊
讨论了ＰＷＭ控制逆变式大功率通信用稳压电源的工作原理及主要参数．给出了主要的实验结果．
The working principle and the main paramet......
TI推出具有视频扩展功能和软件库的可编程C55X DSP 德州仪器(TI)日前推出的具有21种影像功能的软件库,使设计人员能够运用基于TM3......
4.开关电源厚膜电路STR—S6709保护电路 (1)Q801(STR—S6709)⑧脚内有“闩锁电路”,它是由三个比较放大器1、2、3和过热保护、过......
今天的高性能ASIC和微处理器芯片消耗的功率可超过150瓦。对于1V~1.5V的供电电压,这些器件所需要的电流可轻易超过100A。通过采用......
本文分析了影响移相零电压开关电路拓扑效率的原因是,移相零电压开关的附加电感上的损耗无法避免,提出一种使移相零电压开关附加电......
省电为何如此重要?因为省电能够减少二氧化碳排放,创造更美好的环境,促进绿色生活方式,不仅如此,对于电费较高、特别是需要利用空......
目前在ＤＣ－ＤＣ变换器领域，有多种软开关方案被提出，有些已经投入了实际应用。然而以往的多种方案在实现零电压／零电流的同时，却造成了电流／电压......
针对模块化多电平换流器(MMC)的直流故障清除问题,提出了一种新型的局部自均压组合电容型子模块.该子模块的拓扑结构具备故障自清......
