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本文叙述了用ＣＣＤ系统对ＭＢＥ生长中ＲＨＥＥＤ图案强度变化进行实时监测，通过（００）级条纹的ＲＨＥＥＤ强度分析，直接给出了不同生长条件下表面相变的动态过程，得到了从Ｃ（４×４）到α（２×４）的连续相变过程，进一步给出了不同条件下的表面化学配比情况。
GaAs（100）同质外延表面相变的动态过程研究
【摘 要】
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本文叙述了用ＣＣＤ系统对ＭＢＥ生长中ＲＨＥＥＤ图案强度变化进行实时监测，通过（００）级条纹的ＲＨＥＥＤ强度分析，直接给出了不同生长条件下表面相变的动态过程，得到了从Ｃ（４×４）到α（２×４）的连续相变过程，进一步给出了
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所,中国高等微结构科技研究中心,南京210093,中国科学院上海技术物?
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1997年6期
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