采用分子束外延生长方法在In Sb（100）衬底上生长p⁺-p⁺-n-n⁺势垒型结构的In_1-xAl_xSb外延层。运用X射线衍射对材料的晶体质量及Al组分进行测试和表征,In Al Sb外延层的半峰宽为0.05°,表明外延材料的单晶性能良好,并通过布拉格方程和维戈定律计算出Al组分为2.5%。然后将外延材料制备成多元红外探测并测得77²10 K下的光谱响应曲线,实验发现探测器的截止波长从77 K时的4.48μm增加至210 K时的4.95μm。通过数据拟合得出In_0.975Al_0.025Sb禁带宽度的Varshni关系式以及其参数E_g（0）、α和β的值分别为0.238 6 e V,2.87×10^-4 e V/K,166.9 K。经I-V测试发现,在110 K,-0.1 V偏压下,器件的暗电流密度低至1.09×10^-5 A/cm^-2,阻抗为1.40×10⁴Ωcm²,相当于77 K下In Sb探测器的性能。同时分析了温度对器件不同类型的暗电流的影响程度,并得到器件的扩散电流与产生-复合电流的转变温度约为120 K。