【摘 要】
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本文根据实验结果,叙述不同腐蚀剂对于硅的表面复合速度S的影响及其时间稳定性。简短地论述了利用稳定光电导测量S方法的实质,介绍了运算公式及实验设备。指出了在怎样的条件
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本文根据实验结果,叙述不同腐蚀剂对于硅的表面复合速度S的影响及其时间稳定性。简短地论述了利用稳定光电导测量S方法的实质,介绍了运算公式及实验设备。指出了在怎样的条件下进行表面处理才能正确测量硅的体寿命。同时也表明了硅的电阻率对表面复合速度的影响。由实验数据证明,在10％的KOH水溶液中进行腐蚀,能够在硅表面上得到较低的复合速度。
Based on the experimental results, this paper describes the effect of different etchants on the silicon surface recombination velocity S and its time stability. The essentials of using stable photoconductive measurement S method are briefly discussed. The computing formulas and experimental equipment are introduced. It is pointed out that under what conditions surface treatment can correctly measure the bulk life of silicon. At the same time, it also shows the influence of silicon resistivity on the surface recombination velocity. The experimental data show that corrosion in 10% KOH aqueous solution can result in lower recombination velocity on the silicon surface.
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