区熔相关论文
本文用晶体区熔生长理论对激光加热基座法生长的单晶光纤形状稳定问题作了研究.说明了稳定生长的熔区长度与晶纤直径、源棒直径的......
采用高纯原料并按名义成分Bi2Te2.7Se0.3配料,利用工业化设备及区熔工艺得到晶体取向性良好的材料,然后通过热变形工艺获得了较强......
X射线衍射硅粉末标样CSS是以区熔单晶硅为原料,经球磨后过400目筛而制成。其纯度大于99.9％,平均颗粒度约6微米,小于10微米的颗粒约......
采用环形锥状电子東区熔加“堆积”的定向凝固技术制取了尺寸达30～35x200mm的高纯铌单晶。研究了原料品位及工艺参数对单品质量的影......
一、前言钼作为战略金属的重要性是尽人皆知的。为了研究它的脆断机理,探讨其事故性断裂现象的物理根据,也为了在更广阔的领域扩......
采用高射频感应加热法以及光辐射加热悬浮区熔法分别制备了Nd2PdSi3多晶和单晶样品,并对比研究了它们的磁性能。研究得出:多晶样品......
通过采用光辐射加热悬浮区熔法制备了Tb5Si3单晶。得出的结论为:3 mm/h的生长速度,0.1 MPa的循环氩气比较适合Tb5Si3单晶体的生长;......
采用光辐射加热悬浮区熔法以3 mm/h的生长速度成功制备了Tb2PdSi3单晶。通过分析得知,该化合物为同成分熔融化合物,熔点约为1700℃......
对采用中子嬗变掺杂(NTD)技术生产硅单晶作了研究,给出了几种不同气氛下成晶的NTD硅单晶对器件性能影响的试验结果及数据分析.
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本文介绍区熔单晶硅生产操作指导专家系统。首先，系统实现了连续图象的自动变周期、定瞬间采样，并提出一种新的区域扩张增量图象处理......
以光热电离光谱方法指证了减压充氮气氛下生长的微氮直拉硅单晶中的氮关浅施主NRD（NitrogenRelatedDonor）．确认NRD的形成温区为300～800......
氮杂质在微氮直拉硅单晶中引入了不同于热施主（ＴＤ）和新施主（ＴＮＤ）的氮关施主（ＮＲＤ）（ｎｉｔｒｏｇｅｎ－ｒｅｌａｔｅｄｄｏｎｏｒ）．其形成于５００～９００℃，６００℃左右最为活跃．短时间热处理时，ＮＲＤ的形成与消除具有可回复......
本文对电子辐照 NTD 硅中少数戴流子寿命τ的测量结果进行了分析,获得了未退火时τ与 T(77K～300K)的线性关系和寿命的相对偏差|△τ......
主要描述了扩展电阻探针在确定硅片电阻率的微区分布、硅片中施主态氧沉淀的微观分布，及经氧外扩散后，硅片表面区中间隙氧分布等方面......
本文报导了关于高阻 Ｎ 型区熔（ Ｆ Ｚ） Ｎ Ｔ Ｄ－ Ｓｉ－ Ｐ＋ Ｎ 结二极管经电子辐照后的等温退火特性，获得５ 个缺陷能级： Ｅ１ ＝ ０ ．１６ｅ Ｖ， Ｅ２ ＝ ０ ．２７ｅ Ｖ， Ｅ３ ＝ ０ ．３１ｅ Ｖ， Ｅ４ ＝ ０ ．３７ｅ Ｖ 和 Ｅ５ ＝ ０ ．４２ｅ Ｖ．结果......
根据区熔（Ｆｚ）硅ＧＧＤ法的生长模式，进一步推算出其掺杂浓度的轴向分布及其均匀分布所需的预掺杂时间，所得计算结果与实验值非常接近．
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高阻硅是制备光电探测器的关键材料,这种材料制备难度大,对工艺有很高的要求。为了满足各种探测器件的要求,各国都努力开发不同规......
用Ｘ射线衍射线对法测量了具有强Ｃ轴择优取向的ＹＢＣＯ厚膜的点阵常数Ｃ。用Ｎｉ基带制备的样品的点阵常数值小于过去报导过的烧结样品的点阵常数Ｃ值......
报导了纯铁浮区熔化过程中杂质碳、氧的行为。电解铁经真空感应熔炼和真空铸锭后,制成直径为10毫米的试样。当区域熔化时,熔区下的......
随着化合物半导体的发展,化学比对半导体电学性质的影响受到了越来越多的注意。但过去这方面的研究多集中在PbS、CdTe、Bi_2Te_3......
1.真空冶金及其新发展。 (韩耀文)2.真空技术在新型材料中的某些 应用。 (陈杰)3.真空冶金设备与超高真空技术的 应用。 (王树理)4......
近日,四川新光硅业与河北天威保变电气股份有限公司合作,在成都共同签署了作为四川省一号工程的千吨多晶硅产业化工程增资扩股协议......
一、硅材料发展水平最近,国外制造大功率硅可控整流器使用的材料,大多采用区熔单晶,因为区熔单晶比拉制单晶具有以下几个优点: (1......
本文叙述了真空悬浮区熔硅中磷的变化规律,并对多次区熔后硅中的磷浓度作了测定,得到了残留磷随区熔次数增加而成指数衰减的蒸发曲......
微缺陷,又有人称为旋涡缺陷,主要是指蚀坑呈旋涡分布的微缺陷。现已知道,旋涡缺陷只不过是微缺陷的一种。呈旋涡分布的缺陷并非都......
本文主要阐述了在77～500°K温度范围内,铌的屈服极限、应力塑性松弛和温度,变形速度的关系。还测定了塑性变形机构的一些动力特性......
本文叙述了碳,氢,氮元素分析用标准物质乙酰苯胺的制备和分析。高纯度的乙酰苯胺采用区熔精制而成。元素分析经10多次取样,9个实......
一、前言随着半导体工业的发展,对硅单晶的纯度要求越来越高,硅单晶中的杂质水平,一般在ppb级以下。因此,硅单晶中痕量杂质的分析......
中环半导体股份有限公司近日公布了三项新产品:国内首颗8英寸区熔硅单晶、直拉区熔高效太阳能电池用硅单晶和8英寸〈110〉晶向直拉......
由于粗原料的不足,加上需求急增,锗和氧化锗的出厂价格和自由市场价格都在不断上涨。自由市场的金属价格为每公斤1120～1125美元左......
上海冶炼厂硅材料生产开始于1970年,迄今已有十二年历史,现在我厂采用三氯氢硅还原法生产高纯硅,硅单晶的产量,在原设计的生产能......
本文所提供的资料是关于如何解决在一个大气压的氩气氛下浮区生长80毫米直径单晶的问题。成功地生长直径80毫米硅单晶很大程度取......
△中国有色金属学会第二届理事会第一次会议,于今年5月9日～10日在北京举行。上海市有色金属学会理事长袁嘉良、副理事长曹国琛、常......
1.φ3″IC用硅抛光片φ3″IC用硅抛光片为市级科研项目。鉴定专家对上冶二厂新的无蜡抛光清洗工艺和硅片技术参数进行了评定,认为......
在半导体硅生长工艺方面,除常规的直拉法(CZ)和区熔法(FZ)外,近年又出现了磁场直拉法(MCZ),中子嬗变掺杂法(NTD)和连续送液直拉法......
进一步精炼镉和碲以满足工业上对镉和碲的最高纯度要求的研究已着手进行。这些高纯金属用于配制Ⅱ—Ⅵ族合金,尤其是CdTe和CdHgTe......
弱束技术和高阶明场技术是电子显微学中两种重要的高分辨成象技术(分辨率可达20A),它是研究缺陷(位错、位错环、层错、空位团等)的......
本文用新的切趾函数研究了傅里叶变换红外(FT-IR)光谱仪中切趾对分辨本领的影响。结果表明,切趾不一定导致分辨本领下降,选择合适......
73.长城全周影院设计研究。74.SPIR—GG系列钢管超声自动探伤系统。75.SWC—1短波自校守时钟。76.新一代全自动程控用户交换机。7......
真空蒸馏是高纯碲制备过程中重要的中间提纯方法，其提纯效果的优劣直接影响到产品Ｔｅ的纯度．本文分析了真空蒸馏过程中Ｔｅ和杂质的蒸汽压及......
