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目的 分析植入型心律转复除颤器(ICD)不恰当放电发生情况及常见原因。方法 2001年11月至2007年10月植入ICD并长期随访的43例患者。通过定期随访查询ICD中存储的事件信息，根据腔内电图判断事件是否为不恰当放电。结果 43例患者中有7例发生了96次不恰当放电。6例患者是室上性心动过速引起，1例是干扰引起。5例患者第1次不恰当放电发生在植入ICD后1年内。植入ICD前有心房颤动（房颤）病史是发生不恰当放电的独立预测因子。结论 植入ICD前有房颤病史的患者较易出现不恰当放电，临床应多予以重视。