一种适用于2.4GHz ISM射频波段的全集成CMOS压控振荡器

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wjwjwwj
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
提出了一种频率可调范围约 2 30MHz的全集成LC压控振荡器 (VCO) .该压控振荡器是用 6层金属、0 18μm的标准CMOS工艺制造完成 .采用MOS晶体管和电容组合来实现等效变容管 ,为降低芯片面积仅使用一个片上螺旋电感 ,并实施了低电压、低功耗的措施 .测试结果表明 ,该压控振荡器在电源电压为 1 8V的情况下功耗约为10mW ,在振荡器中心频率为 2 46GHz时的单边带相位噪声为 - 10 5 89dBc/Hz @6 0 0kHz .该压控振荡器可以应用于锁相环电路或频率综合器中 . A fully integrated LC voltage controlled oscillator (VCO) with a frequency adjustable range of about 2 30MHz is proposed.The voltage controlled oscillator is fabricated by 6 layers of metal and a standard CMOS process of 0 18μm.The MOS transistor and capacitor combination To achieve equivalent varactors, only one on-chip spiral inductor is used to reduce the chip area, and low-voltage and low-power measures are implemented.The test results show that the voltage-controlled oscillator consumes power at a power supply voltage of 18V About 10mW and single-sideband phase noise of -105 89dBc / Hz @ 600kHz at an oscillator center frequency of 2 46GHz. This voltage-controlled oscillator can be used in a PLL or frequency synthesizer.
其他文献
课堂导入是教学过程中不可或缺的一个环节.重视语文教学过程中的导入,对于启迪学生的思维,提高教学质量有着非常重要的作用.教师应注意优化课堂氛围,让导入妙趣横生;优化学习
期刊
新课程改革促使人们更加注重学生综合素质培养,传统的教学理念以及教学方式已经不能够适应实际的发展需求.时代的不断发展促使新型教学方式产生,作为小学语文阅读教学的有效
研究了低能量背面Ar+轰击对n沟MOSFET低频噪声的影响 .用低能量 ( 5 5 0eV)的氩离子束轰击n沟MOSFET芯片的背面 ,能改善其饱和区和线性区的低频噪声频谱密度 .饱和区低频噪声
现代信息技术与小学英语课程教学的有效整合,更加利于培养小学生的英语学习能力、创设优化的英语教学环境、拓展小学英语课程的教学资源、激发学生学习英语的兴趣、提升小学
自主是儿童的基本需要和基本权利,也是儿童人格发展的重要任务之一。自主对特殊儿童的学业、自我评价能力和社会适应都非常重要,是特殊儿童展现尊严的途径,也与其生活质量相联系
采用窄禁带宽度材料GaAsSb作为异质结晶体管的基区材料 ,成功研制出了能有效降低电路工作电压和功率损耗的低开启电压的NPNInGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管 (doubleheteroju
随着信息产业一体化的进程,人才的可持续发展在知识经济的扩张中显得尤为重要。为国家培养高技能人才和建立学习型社会也成为各国职业教育和继续教育发展的主题。我国目前的职
现有蜡染的创新设计大都限于蜡染单一工艺的改进或数码技术的模仿,表现风格较为单一。以蜡染工艺特征为研究基础,分别与扎染、夹染和型版印工艺进行结合设计,得到了不同于以