GaAsMESFET击穿特性的研究现状与进展

来源 :河北工业大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:he_shang_cun
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栅漏击穿是限制GaAsMESFET输出功率并影响其可靠性的最主要因素之一,本文就改善GaAsMESFET击穿特性所进行的研究做了综述介绍,其中包括改变器件结构,采用新型材料和钝化等方法.
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