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研究了高压SOI—LIGBT器件的单脉冲正偏安全工作区（FBSOA）的绘制方法。首先，分别提取器件的热阻与热容，并借助热阻抗公式计算器件的瞬态热阻抗，进而根据热阻抗与最大允许功率之间的关系，获得直流与脉冲条件下的正偏安全工作区。同时，还对其二次击穿边界与安全工作区的相互关系做了进一步分析，为更加准确地确定高压LIGBT器件的单脉冲安全工作区提供理论指导。