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利用电感耦合等离子体化学气相沉积系统SENTECH SI 500 D以Si H_4和NH_3研究了在不同工艺条件下的氮化硅薄膜生长实验。而后利用台阶仪和椭圆偏振仪表征了薄膜的厚度、生长速率、均匀性和折射率等参数;并用原子力显微镜（AFM）和扫描电子显微镜（SEM）研究了薄膜表面形貌。实验结果表明：沉积温度和ICP功率是影响薄膜生长速率的主要因素,生长速率可以达到20 nm/min;NH_3流量是影响薄膜折射率的主要因素,其变化在1.85~2.35之间;沉积温度是影响薄膜表面形貌的关键因素。