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报道了液氮温度下对HgCdTe器件进行电容测试的方法。标定了仪器寄生电容以及杜瓦寄生电容,并利用该测试结果计算得到PN结区附近的载流子浓度和相应的深度等数据。对比了碲镉汞常规PN结器件与雪崩光电二极管(APD)器件的耗尽层宽度以及N区载流子浓度。
碲镉汞器件光敏元电容测试与分析
【摘 要】
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报道了液氮温度下对HgCdTe器件进行电容测试的方法。标定了仪器寄生电容以及杜瓦寄生电容,并利用该测试结果计算得到PN结区附近的载流子浓度和相应的深度等数据。对比了碲镉
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,中国科学院大学,上海科技大学信息科学与技术学院
【出 处】
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红外技术
【发表日期】
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2019年5期
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