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分层加料法用于直接加热合成碳化硅晶须,可改善炉料导电行为,满足晶须生长所需的温度梯度和空间,提高晶须产率,缩短反应时间。
分层加料法用于直接加热合成碳化硅晶须
【摘 要】
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分层加料法用于直接加热合成碳化硅晶须,可改善炉料导电行为,满足晶须生长所需的温度梯度和空间,提高晶须产率,缩短反应时间。
【机 构】
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辽宁科技学院冶金工程学院
【出 处】
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辽宁科技学院学报
【发表日期】
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2010年3期
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