一个电压接近1V 10ppm／℃带曲率补偿的CMOS带隙基准源

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：PEIDAO

【摘要】

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介绍了一个带曲率补偿的低电压带隙基准源．由于采用电流模结构，带隙基准源的最低电源电压为900mV．通过VEB线性化补偿技术，带隙基准源在0到150℃的温度范围内的温度系数为10ppm／℃．

【作者】

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幸新鹏李冬梅王志华

【机构】

：

清华大学微电子研究所,清华大学电子工程系

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2008年1期

【关键词】

：

CMOS带隙基准源低电源电压曲率补偿 CMOS bandgap reference low voltage curvature compensation

【基金项目】

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国家自然科学基金（批准号：60475018）及北京市科技发展计划（批准号：D0305004040221-2-05）资助项目

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介绍了一个带曲率补偿的低电压带隙基准源．由于采用电流模结构，带隙基准源的最低电源电压为900mV．通过VEB线性化补偿技术，带隙基准源在0到150℃的温度范围内的温度系数为10ppm／℃．在电源电压为1．1V时，电源电流为43μA，低频的PSRR为55dB．该带隙基准源已通过UMC0．18μm混合信号工艺验证，芯片面积为0．186mm^2．

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