【摘 要】
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提出了一种三维凸起柔性神经微电极阵列的制作方法。该方法以光敏性聚酰亚胺（Durimide7510）为基质材料，以各向异性刻蚀的硅为模具，结合微注模、金属微图形化和牺牲层电化学释放技
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中国科学院研究生院,上海交通大学激光与生物医学研究所
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提出了一种三维凸起柔性神经微电极阵列的制作方法。该方法以光敏性聚酰亚胺（Durimide7510）为基质材料，以各向异性刻蚀的硅为模具，结合微注模、金属微图形化和牺牲层电化学释放技术制作三维凸起柔性微电极，并通过数值模拟、形貌观测和电学性能测试对制备的微电极进行了评价。利用上述方法制备了具有4×4电极位点阵列的三维柔性神经微电极，每个电极位点大小为60μm×60μm，高度约37／μm阻抗测试显示，1kHz时三维凸起电极位点的阻抗比传统的相同大小的平面微电极阵列约降低63％。结果表明，该
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