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采用IBM公司刚刚推出试用的0．35μm SiGe BiCMOS开发性工艺5PAe设计并实现了一个C波段功率放大器。该放大器采用两级单端结构，除集电极扼流电感外，其余元件全部片上实现，具有集成度高、结构简单的特点。通过在管子基极和匹配电感中串联电阻实现了全频段稳定。键合测试表明，在所有电源电压下电路均能稳定工作。在Vc=3．5V，VB=7V，f=4．1GHz时，小信号增益为17．7dB，输入输出反射系数分别为-16．9dB和-13．9dB，而在输出功率为22．8dBm时，二次和三次谐波分别小于-36dBc