【摘 要】
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基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种应用于自适应系统的可重构2阶∑-△调制器.引入动态电压调整技术,研究了不同输入信号下如何通过降低电源电压来节省ADC功耗.首先在Simulink下对非理想参数进行数学建模和分析,然后在Cadence下完成电路设计,并完成版图设计和后仿真.除了采用运放的差分对宽长比和尾电流等传统调整方案,本设计还可根据输入信号的幅度调整电源电压,进一步提高系统灵活性.仿真结果表明,在系统有效位数要求为12 bit时,使用3.3V电源电压供电的功耗为123 μW,电压降为
【机 构】
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南京航空航天大学电子信息工程学院,南京210000
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基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种应用于自适应系统的可重构2阶∑-△调制器.引入动态电压调整技术,研究了不同输入信号下如何通过降低电源电压来节省ADC功耗.首先在Simulink下对非理想参数进行数学建模和分析,然后在Cadence下完成电路设计,并完成版图设计和后仿真.除了采用运放的差分对宽长比和尾电流等传统调整方案,本设计还可根据输入信号的幅度调整电源电压,进一步提高系统灵活性.仿真结果表明,在系统有效位数要求为12 bit时,使用3.3V电源电压供电的功耗为123 μW,电压降为1.8V时功耗仅为51 μW,通过降低电源电压节省功耗的效果明显.版图总面积为0.06 mm2.
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基于130 nm RF CMOS工艺,设计了一种适用于K波段的高增益低噪声折叠式下变频混频器.采用折叠式双平衡电路结构,混频器的跨导级和开关级可以在不同的偏置条件下工作,为优化两级的噪声提供了极大的自由度.采用电流复用技术,混频器的转换增益和噪声系数得以显著改善.后仿真结果表明,该混频器在本振功率为-3 dBm时,实现了27.8 dB的转换增益和7.36 dB的噪声系数.在射频信号为24 GHz处的输入1 dB压缩点P1dB为--18.8 dBm,本振端口对射频端口的隔离度大于60.2 dB.该电路工作于
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