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用热丝化学汽相淀积法以硅烷、甲烷、氢气为源气,在低温下沿Si(111)晶面异质生长SiC薄膜。用XRD法对生成的SiC薄膜进行分析检测。实验表明在钨丝温度为1900℃,钨丝到衬底的距离为0.8cm时可生成优质的SiC薄膜。
HFCVD法制备SiC薄膜的研究
【摘 要】
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用热丝化学汽相淀积法以硅烷、甲烷、氢气为源气,在低温下沿Si(111)晶面异质生长SiC薄膜。用XRD法对生成的SiC薄膜进行分析检测。实验表明在钨丝温度为1900℃,钨丝到衬底的距
【机 构】
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西安卫光科技有限公司
【出 处】
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科学技术创新
【发表日期】
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2018年32期
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