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在基片加热状态下，利用直流平面磁控反应溅射技术制备重掺杂In2O3：Sn薄膜，研究其光学及电学性能。从光谱测量出发计算了膜的折射率及消光系数，并确定了膜的有效禁带宽度为4．25eV，比未掺杂的In2O3有更宽的禁带宽度。测量In2O3：Sn．膜的霍耳系数，并从介电常数的计算获得了膜的电子浓度约1020／cm3。