【摘 要】
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采用射频磁控溅射法,在不同的Ar∶O2条件下,以高掺磷n型Si衬底为磷掺杂源制备了p型ZnO薄膜和p-ZnO/n-Si异质结。对ZnO∶P薄膜进行了光致发光谱（PL）、霍尔参数、I-V特性、扫描电
【机 构】
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上海理工大学光电信息与计算机工程学院,五邑大学应用物理与材料学院,上海市现代光学系统重点实验室
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采用射频磁控溅射法,在不同的Ar∶O2条件下,以高掺磷n型Si衬底为磷掺杂源制备了p型ZnO薄膜和p-ZnO/n-Si异质结。对ZnO∶P薄膜进行了光致发光谱（PL）、霍尔参数、I-V特性、扫描电镜（SEM）和X射线衍射谱（XRD）等测试。结果表明,获得的ZnO∶P薄膜沿（0002）晶面高取向生长,以3.33 eV近带边紫外发光为主,伴有2.69 eV附近的深能级绿色发光峰,空穴浓度为8.982×1017/cm3,空穴迁移率为9.595 cm2/V.s,p-ZnO/n-Si异质结I-V整流特性明
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